全球首片8吋矽光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在中國下線　將盡快商用

近日，湖北九峰山實驗室（JFS）宣布，2024年2月20日，全球首片8吋矽光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實驗室下線。此項成果將盡快實現產業商用。

據介紹，此項成果使用8吋SOI矽光晶圓鍵合8吋鈮酸鋰晶圓，單片集成光電收發功能，為目前全球矽基化合物光電集成最先進技術。該項成果可實現超低損耗、超高帶寬的高端光芯片規模製造，為目前全球綜合性能最優的光電集成芯片。

薄膜鈮酸鋰由於出色的性能在濾波器、光通訊、量子通信、航空航天等領域均發揮著重要作用。但鈮酸鋰材料脆性大，大尺吋的加工製備工藝也一直被視為挑戰。目前，業界對薄膜鈮酸鋰的研發還主要集中在3吋、4吋、6吋晶圓的製備及片上微納加工工藝上。

《IT之家》報道介紹，九峰山實驗室工藝中心基於8吋薄膜鈮酸鋰晶圓，開發與之匹配的深紫外（DUV）光刻、微納幹法刻蝕及薄膜金屬工藝，成功研發出首款8吋矽光薄膜鈮酸鋰晶圓，實現低損耗鈮酸鋰波導、高帶寬電光調製器芯片、高帶寬發射器芯片集成，為薄膜鈮酸鋰光電芯片的研製與超大規模光子集成提供了一條極具前景的產業化技術路線。