中國成功研製全球首個110GHz純矽調製器 矽基光電子領域重大突破

中國成功研製全球首個110GHz純矽調製器 矽基光電子領域重大突破
撰文:范玉瑩
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《央視新聞》報道,近日,北大科研團隊成功研製出全球首個電光頻寬達110GHz的純矽調製器,為矽基光電子領域的重大突破。

據悉,這是自2004年英特爾在《自然》期刊報道第一個1GHz矽調製器後,國際上第一次把純矽調製器的頻寬提高100GHz以上。目前,相關研究成果以《110GHz頻寬慢光矽調製器》為題,線上發表於《科學·進展》。

中國科學家研製出全球首個110GHz純矽調製器。(央視新聞)
中國科學家研製出全球首個110GHz純矽調製器。(央視新聞)

該純矽調製器同時具有超高頻寬、超小尺寸、超大通帶及互補金氧半導體(CMOS)整合工藝相容等優勢,滿足了未來超高速應用場景對超高速率、高整合度、多波長通訊、高熱穩定性及晶圓級生產等需求,是矽基光電子領域的重大突破。

中國科學家研製出全球首個110GHz純矽調製器。(央視新聞)

報道介紹,隨着網路技術的飛速發展,資料中心的規模和復雜度也在不斷增加,對資料傳輸速率、整合度以及穩定性的要求也越來越高。此次突破性研究成果將為高速、短距離資料中心和光通訊的應用提供重要關鍵技術支撐,亦將為全球資料中心發展提供新的技術可能,對下一代資料中心的發展具有重大意義。

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