三星前高管涉嫌盜取公司機密被捕　企圖在中國設「山寨半導體廠」

一名前三星電子高管涉嫌盜取公司機密，意圖在中國設立山寨版三星電子半導體工廠的A某，在韓國被捕及遭起訴。

韓聯社報導，韓國水原地方檢察廳6月12日，以違反《產業技術保護法》和《不正當競爭防止法》罪名將A某逮捕和起訴。檢察廳另以涉嫌違反《不正當競爭防止法》等罪，針對A某在中國設立的公司所屬五名職員和涉嫌洩露設計圖的三星電子合作公司一名職員，共6人進行起訴。

A某涉嫌從2018年8月起至2019年，以不當手法獲取並使用三星電子半導體工廠基本工程資料（Basic Engineering Data）、工藝流程圖、設計圖等資訊。涉案技術為用於製造30納米以下動態隨機存取記憶體（DRAM）和快閃記憶體晶片（NAND）制程工藝，兩者均屬於國家關鍵技術。

當局調查發現，A某試圖在距離三星電子西安半導體工廠僅1.5公里處建設山寨版三星晶片廠。由於台灣一家電子產品製造商曾承諾的8萬億韓元投資落空，工廠建設未能進行。但據悉，A某曾在成都獲得4600億韓元投資建設半導體製造工廠，工廠的研發樓已於去年完工，並採用三星電子半導體技術生產出了樣品。

A某曾任三星電子常務、SK海力士副社長等職務，是韓國半導體製造領域具有權威地位的人物。他在華設廠後，錄用200名三星電子、SK海力士的員工，並指示他們獲取並利用三星電子半導體設計資料。檢方推算，A某洩露技術導致三星電子蒙受至少3000億韓元損失。