中科院5納米激光光刻加工技術獲進展　官網發布消息後又刪文

據中國科學院官網7月1日消息，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員張子暘與國家納米中心研究員劉前合作，在《納米通訊》（Nano Letters）發表研究論文，報道一種新型5納米超高精度激光光刻加工方法。據稱，該技術在集成電路、光子晶片、微機電系統等眾多微納加工領域展現廣闊的應用前景。
不過，該新聞發出後，中科院官網又撤下了稿件，尚不知原因。

官網稱，傳統上，激光直寫可利用連續或脈衝激光在非真空的條件下實現無掩模快速刻寫，降低器件製造成本，是一種有競爭力的加工技術。然而，激光直寫技術由於衍射極限以及鄰近效應的限制，很難做到納米尺度的超高精度加工。

蘇州納米所張子暘團隊基於光熱反應機理設計開發一種新型三層堆疊薄膜結構。在無機鈦膜光刻膠上，採用雙激光束（波長為405納米）交疊技術，通過精確控制能量密度及步長，實現1/55衍射極限的突破（NA=0.9），達到最小5納米的特徵線寬。此外，研究團隊利用這種超分辨的激光直寫技術，實現納米狹縫電極陣列結構的大規模製備。

相較而言，採用常規聚焦離子束刻寫，製備一個納米狹縫電極需要10到20分鐘，而利用本文開發的激光直寫技術，可以一小時製備約5乘10的5次方個納米狹縫電極，展示可用於大規模生產的潛力。

中科院官網還稱，該研究使用研究團隊開發的具有完全知識產權的激光直寫設備，利用激光與物質的非線性相互作用來提高加工分辨率，有別於傳統的縮短激光波長或增大數值孔徑的技術路徑，打破傳統激光直寫技術中受體材料為有機光刻膠的限制，可使用多種受體材料，擴展激光直寫的應用場景。

此外，研究團隊針對激光微納加工中所面臨的實際問題出發，解決高效和高精度之間的固有矛盾，開發的新型微納加工技術在集成電路、光子晶片、微機電系統等眾多微納加工領域展現廣闊的應用前景。

不過，中國科學院官網稍後刪除了該報導，尚不知具體原因。