麻省光子技術落戶香港　孫東：回應三中全會打造高端人才聚集高地

麻省光子技術（香港）公司落戶本港，擬於科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵（GaN）外延工藝全球研發中心，及在創新園開設首條8寸超高真空量產型氮化鎵（GaN）外延片中試線，預計在港投資最少2億港元，創造逾250個微電子相關職位。

創新科技及工業局局長孫東表示，香港要因地制宜發展新質生產力，必須發揮好國際化優勢和雄厚科研實力，支持優勢科技產業在港發展，而第三代半導體就是香港近年來重點發展的科技領域。麻省光子技術（香港）公司落戶本港，除為香港帶來全球領先的前沿技術，更能匯聚環球微電子專業人才，促進技術交流。這正好回應了三中全會提到支持香港打造國際高端人才集聚高地。

孫東出席第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮致辭時指，非常高興迎來全球氮化鎵外延工藝先驅企業——麻省光子技術公司落戶香港，指出氮化鎵外延工藝是發展第三代半導體的關鍵技術，麻省光子技術在港投資設立全港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心，及依托即將成立的微電子中心，準備投資超過兩億港元建立首條高階量產型8寸車規級氮化鎵外延片中試線，將加速推動香港新型工業化，及微電子生態圈的發展，同時麻省光子技術落戶香港也助力香港壯大創科人才庫。

孫東指，麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韜帶領的團隊由世界各地的專家組成，除了為香港帶來全球領先的前沿技術之外，更能匯聚環球微電子專業人才，促進技術交流。這正好回應了三中全會提到支持香港打造國際高端人才集聚高地。

孫東又說，特區政府正以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展，香港微電子研發院將於今年內成立，並將設立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協助初創、中小企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。他指出，麻省光子技術落戶香港確切回應了特區政府的發展戰略，當局會繼續引入更多優秀的科技企業來港發展和投資，發揮協同效應，讓微電子及其他科技產業在香港做大做強。

麻省光子技術行政總裁廖翊韜指，公司致力在港研發高階第三代半導體晶圓技術，製作的晶圓片能廣泛應用於醫療、電動汽車及人工智能等領域，從而節約電力成本，提升能量轉換效率。他期望在3年內實現年產1萬片氮化鎵晶圓產能。