美國限制「獲晶片補貼公司」在華增產 韓國:技術增值不受限
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韓國貿易部說,美國為防止520億美元晶片資金被「引發安全擔憂的國家」得益,而設定的嚴格規則,將不會迫使取得美國資金的公司關閉在中國的工廠。
路透社報道,韓國貿易部星期三(3月22日)發表聲明說:「對於我們的公司在中國運營的生產設施,包括維修、區域性擴建和技術升級等方面,依然可能進行。隨着技術升級,每片晶圓可切割的晶片數量會增加……產量可能會根據企業戰略而進一步擴大。」
另據韓聯社報道,三星電子和SK海力士等韓國晶片廠商,若依據美國晶片與科學法領取投資補貼,今後10年在華半導體產能將不得增長5%以上,但增產限制並不涉及技術增值。
美國商務部星期二說,為防止補貼用於損害美國安全活動的「護欄」條款細則,已經刊憲公布,並徵求公眾意見60天。
韓聯社稱,技術進步帶來的單位晶圓面積儲存容量的增加,不視為產能增長,這為在華韓企與中國本土友商競爭圖存留下出路。
但美國政府重申,禁止接受補貼企業與華為等中國企業進行聯合研究與試驗發展活動。
為避免中國間接受益,美國晶片與科學法規定,領取補貼的企業未來10年進行使其在中國等受關注國家的產能得以「實質性擴張」(material expansion)的重大交易時,必須全額退還補貼。細則將「實質性擴張」定義為產能的量化增長,界定「重大交易」的金額標準為10萬美元以上。
一旦交易超標,先進位制程晶片的產能不得增長5%以上,傳統(legacy)製程晶片產能不得增長10%以上。細則對傳統晶片的範圍提供指導,包括28奈米以下的邏輯晶片、18奈米以下傳統動態隨機存取儲存器(DRAM)、128層以上的快閃内存晶片(NAND)。