中科院5納米光刻技術突破ASML壟斷？　研發者：外界誤讀

中國科學院（簡稱中科院）曾於7月發表一篇報道，介紹研究團隊研發的新型5納米超高精度激光光刻加工方法，引發爭議，報道其後被刪。對此，相關研究人員近日作出回應。

綜合媒體12月2日報道，相關研究發表在國際知名期刊《納米通訊》（Nano Letters）。中科院官網7月還報道稱，研究團隊針對激光微納加工中所面臨的實際問題出發，解決高效和高精度之間的固有矛盾，開發的新型微納加工技術在集成電路、光子晶片、微機電系統等眾多微納加工領域展現廣闊的應用前景。不過，這一報道隨後在中科院官網被刪除。

消息發出後，迅速引發外界關注，一些媒體稱此技術可以「突破荷蘭光刻機生產企業阿斯麥（ASML）的壟斷」、「中國芯取得重大進展」，「中國不需要極紫外光刻技術（EUV）光刻機就能製作出5納米制程的晶片」。

但對於外界解讀，該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前近日表示，這是一個誤讀，這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。

他進一步稱，極紫外光刻技術解決的主要是光源波長的問題，極紫外光刻技術是以波長為10納米至14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。

集成電路線寬是指由特定工藝決定的所能光刻的最小尺寸，也就是通常所說的「28納米」、「40納米」。 這個尺寸主要由光源波長和數值孔徑決定，掩模上電路版圖的大小也能影響光刻的尺寸。目前主流的28納米、40納米、65納米線寬製程採用的都是浸潤式微影技術（波長為134納米）。但到了5納米這樣的先進製程，由於波長限制，浸潤式微影技術無法滿足更精細的製程需要，這是極紫外光刻機誕生的背景。

而中科院研發的5納米超高精度激光光刻加工方法的主要用途是製作光掩模，這是集成電路光刻製造中不可缺少的一個部分，也是限制最小集成電路線寬的瓶頸之一。目前，中國國內製作的掩模版主要是中低端的，裝備材料和技術大多來自進口。

劉前還表示，如果超高精度激光光刻加工技術能夠用於高精度掩模版的製造，則有望提高中國掩模版的製造水平，對現有光刻機的晶片的線寬縮小也是十分有益的。

但是，即便這一技術實現商用化，要突破荷蘭ASML在光刻機上的壟斷，還有很多核心技術需要突破，例如鏡頭的數值孔徑、光源的波長等。