【美國封殺中興】人民日報引專家：可5年內解決高端晶片研發問題

官媒《人民日報》引述專家稱，中國在高端光電子器件部份關鍵技術研發取得突破：「這些研發項目有很多都是前瞻佈局的，中興通訊此次受到限制的所有晶片，在十二五和十三五國家研究計劃中，都有相應的部署。」4月16日，美國商務部公佈，由於中興通訊違反和解協議並作出虛假陳述，將禁止美國企業與公司進行交易長達7年。中興通訊董事長殷一民表示，美國對中興實施的禁令，或將導致公司進入休克狀態。

據官媒《人民日報》4月21日報道，十三五國家重點研發計劃「光電子與微電子器件及集成」重點專項專家組組長、中科院半導體所副所長祝寧華表示，中國近年來不間斷地支持光電子領域的科技創新，投入大量資金引導大專院校、科研院所和企業，鑽研對光電子晶片和模組的關鍵技術：

當前我國已掌握中低端光電子器件關鍵技術，具備生產能力，但產能不足。在高端光電子器件研發方面，一些關鍵技術取得突破性進展，研製成功的原型器件通過系統功能驗證，某些關鍵技術達到國際先進水準。

通過國家引導、地方和企業的參與

祝寧華說，在光傳輸和交換設備中，光器件要佔百分之六七十的成本比重，當前中國無論在技術積累還是資金投入，以及高端核心人才的培養和儲備，都具備一定基礎條件：

只要國家選定面向未來資訊網路急需的1—2類核心關鍵光電子晶片，集中資源，從設計、研發、器件製備到封裝測試進行綜合佈局，同時通過國家引導、地方和企業的參與，構建完善的光電子晶片加工工藝平台，相信高端晶片研發的短板能夠在5年內得到緩解。

相關研發項目已持續10年

據知，中國於2008年實施國家科技重大項目：「極大型積體電路製造裝備及成套工藝」，官方稱經十年發展，相關工藝水平提升了5代，成功研發並實現量產55、40、28納米三代成套工藝，於22、14納米先導技術研發取得突破，並已研製成功14納米刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品，性能達到國際先進水準。